上個月，消息透露，三星計劃在平澤P4工廠搭建1cnm工藝的DRAM生產(chǎn)線，并已開始向Lam Research等合作伙伴采購設(shè)備，為HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)打下基礎(chǔ)。1cnm工藝屬于第六代10nm級別，電路線寬大約在11-12nm，預(yù)計將在今年實現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)，三星計劃用它來生產(chǎn)HBM4的DRAM芯片。

　　三星已完成了HBM4邏輯芯片的研發(fā)，并開始了4nm的試生產(chǎn)，這是HBM4的基礎(chǔ)裸片。這一進(jìn)展標(biāo)志著三星向2025年下半年量產(chǎn)邁出了重要一步。近期，三星加快了HBM4的研發(fā)進(jìn)程，比原計劃提前了約半年，以便爭取到像英偉達(dá)這樣的關(guān)鍵客戶訂單。這些芯片預(yù)計將用于下一代Rubin架構(gòu)GPU，并計劃于2026年上市。除了英偉達(dá)，三星還關(guān)注微軟和Meta的新一代定制芯片。

　　在2024年的ISSCC會議上，三星分享了一些技術(shù)細(xì)節(jié)，表明HBM4將帶來顯著的性能提升，數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá)2TB/s，比HBM3E快約66%。同時，它還將支持6.4GT/s的接口運行速度，接口位寬為2048位，最大容量可達(dá)48GB，比當(dāng)前產(chǎn)品提升約33%。三星還與臺積電達(dá)成合作協(xié)議，共同開發(fā)HBM4，這也是雙方在人工智能芯片領(lǐng)域的首次合作。

　　除了HBM4的定制化工作，三星還計劃將重點轉(zhuǎn)向集成AI計算能力和特定數(shù)據(jù)處理功能，以滿足不斷變化的需求。有傳聞稱，三星可能會轉(zhuǎn)向PIM技術(shù)，使內(nèi)存芯片本身能夠執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。這樣的做法可以將處理操作轉(zhuǎn)移到HBM本身，從而減輕內(nèi)存與通用處理器之間數(shù)據(jù)傳輸?shù)呢?fù)擔(dān)。